Растровая электронная микроскопия

Исследования с помощью методов растровой электронной микроскопии проводятся с целью проверки качества изделий полупроводниковой техники. Имея увеличение от 4х до 1 000 000х и разрешение до 3нМ, растровый электронный микроскоп позволяет с большой глубиной резкости выявлять все возможные дефекты на поверхности кристаллов. К ним относятся дефекты металлизации, проволочных соединений, трещины шеек термосварных соединений, интерметаллы, коррозийные образования и разрушения. С помощью ренгеноспектральных микроанализаторов, возможно проводить исследовании химического состава в любой точке поверхности кристалла.

Оборудование для проведения исследований