Стенды испытаний на воздействие статического электричества СИСЭ-4000 предназначены для контроля чувствительности микросхем к воздействию статического электричества (по ОСТ 11.073-13-2008) и определения допустимого значения статического потенциала полупроводниковых приборов и для проверки соответствия полупроводниковых приборов установленному в ТУ требованию по СЭ ( по ОСТ 11.073-062-2001).
МЕДОТЫ ИСПЫТАНИЙ:
Стенд обеспечивает проведение испытаний следующими методами:.
ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ:
Диапозон выходных напряжений, В |
20 - 1000 1000 - 3000 |
Шаг регулировки напряжения |
5 / 10 / 50 |
Точность установки выходного напряжения
|
|
Емкость разрядного конденсатора (с учетом емкости монтажа), пФ |
100 ± 5%
|
Сопротивление разрядного резистора, Ом:
|
|
Количество подаваемых импульсов:
|
|
Интервал между импульсами
|
|
Время проверки на одной последовательности (в автоматическом режиме 2), с |
50±2 |
Время непрерывной работы, ч |
8 |
Питание |
220 В, 50 Гц |
Потребляемая мощность, ВА, не более |
150 |
Дополнительные услуги:
Возможна организация работ по проведению первичной аттестации устройства, в том числе на право применения в сфере обороны и безопасности в соответствии с ГОСТ Р 8.568-97.
Возможна поставка стенда в комплекте с испытательной оснасткой для проведения испытании конкретных приборов> .